第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。(√)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。(√)(6)若耗尽型N沟道MOS管的GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。(×)二、选择正确答案填入空内。(l)PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管三、写出图Tl所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0V。图T1解：UO1=1V,UO2=0V,UO3=-1V,UO4=2V,UO5=1V,UO6=-2V。四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图Tl所示电路中UO1和UO2各为多少伏。(a)(b)图T1解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。五、电路如图T1所示，VCC=15V，=100，UBE=0V。试问：(1)Rb=50k时，Uo=?(2)若T临界饱和，则Rb=?解：(1)IBVBBURbBE26A，ICIB2mA,UOVCCIRCc。图T1V2(2)∵ICSVCCURcBE2mA，IBSICS/28A∴RbVBBUBEk45IBS六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表Tl所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。表T1管号UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作状态T1T2T34-4-4-5361303105恒流区截止区可变电阻区解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表Tl最后一栏所示。第2章基本放大电路自测题一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。(√)6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。(×)7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。(×)二．试分析图T2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h)(i)图T2解：图(a)不能。VBB将输入信号短路。图(b)可以。图(c)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。图(e)不能。输入信号被电容C2短路。图(f)不能。输出始终为零。图(